技術編號：7011056
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了，包括以下步驟步驟一、在經(jīng)過制絨、清洗、擴散步驟后的半導體襯底表面制備正面導體電極細柵；步驟二、烘干；步驟三、制備減反射膜；步驟四、制備正面導體電極主柵；步驟五、烘干。本方法與現(xiàn)在傳統(tǒng)太陽生產(chǎn)工藝相比，可以使細柵上的反射光被再次反射入太陽電池，從而被充分吸收利用，這樣可以提高太陽光的吸收效率，達到提高太陽電池短路電流，提高效率的目的；而且使太陽電池表面顏色更加均一，降低了色差；可以發(fā)揮漿料不同成分的功用，提高效率，降低成本。專利說明[0001]...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。