技術(shù)編號(hào):7011462
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。提供了結(jié)隔離阻斷電壓裝置及其形成方法。在具體實(shí)施方式中,阻斷電壓裝置包括電連接至第一p阱的陽(yáng)極終端、電連接至第一n阱的陰極終端、電連接至第二p阱的接地終端、以及用于隔離第一p阱和p型襯底的n型隔離層。第一p阱和第一n阱操作作為阻塞二極管。阻斷電壓裝置還包括與第一n阱中形成的P+區(qū)域、第一n阱、第一p阱和第一p阱中形成的N+區(qū)域相關(guān)的PNPN硅控整流器(SCR)。此外,阻斷電壓裝置還包括與第一p阱中形成的N+區(qū)域、第一p阱、n型隔離層、第二p阱以及第二p阱中...
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