技術(shù)編號：7012211
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種N型硅太陽能電池的雙面擴(kuò)散工藝，包括以下步驟1）背光面硼吸雜；2）硼硅玻璃去除；3）硅片受光面硼擴(kuò)散形成發(fā)射極。采用本發(fā)明提供的N型硅太陽能電池的雙面擴(kuò)散工藝簡單易行，且可改善N型硅太陽能電池的電性能。專利說明—種N型硅太陽能電池的雙面擴(kuò)散工藝[0001]本發(fā)明涉及一種太陽能電池的擴(kuò)散工藝，特別是一種N型硅太陽能電池的雙面擴(kuò)散工藝。背景技術(shù)[0002]現(xiàn)有晶體硅太陽電池規(guī)?；a(chǎn)中廣泛使用了高溫擴(kuò)散配合絲網(wǎng)印刷工藝，以單晶硅和多晶硅片為原料...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。