技術(shù)編號：7012276
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)提高了內(nèi)部量子效率的氮化物半導(dǎo)體激光器元件。在氮化物半導(dǎo)體激光器元件中，在n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層之間具有活性層，上述n型半導(dǎo)體層具有n側(cè)光導(dǎo)層，上述活性層具有兩個(gè)以上阱層和設(shè)置在上述阱層之間的至少一個(gè)勢壘層，上述勢壘層具有帶隙能量比上述n側(cè)光導(dǎo)層的帶隙能量高的勢壘層，上述p型半導(dǎo)體層具有帶隙能量比上述活性層中所含所有勢壘層高的電子勢壘層，具備配置在上述兩個(gè)以上阱層之中最接近上述p型半導(dǎo)體層的阱層即最終阱層與上述電子勢壘層之間的p側(cè)光導(dǎo)層，上述...
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