技術(shù)編號：7012940
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種二氧化硅SAB的去除方法，其包括提供一閃存晶片，其上的器件由二氧化硅SAB覆蓋；用NH3與HF蒸汽與閃存晶片上的二氧化硅SAB反應(yīng)，生成(NH4)2SiF6；對反應(yīng)后的閃存晶片加熱，使(NH4)2SiF6揮發(fā)，得到去除二氧化硅SAB后的閃存晶片。本發(fā)明先用NH3與HF蒸汽于閃存晶片上的二氧化硅SAB薄膜進行反應(yīng)，生成(NH4)2SiF6，接著對閃存晶片加熱，將其去除，從而減少底切，避免漏電風險。專利說明二氧化硅SAB的去除方法[0001]本...
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