技術(shù)編號(hào)：7013838
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明用于增強(qiáng)電荷載流子的遷移率的方法和設(shè)備。一種集成電路可以包括兩個(gè)類型的半導(dǎo)體器件。第一類型的器件可以包括金屬柵極和以第一方式應(yīng)變的溝道。第二類型的器件可以包括金屬柵極和以第二方式應(yīng)變的溝道。柵極可以共同地包括三種或者更少金屬材料。柵極可以共享相同金屬材料。一種在集成電路上形成半導(dǎo)體器件的方法可以包括分別在集成電路的與第一和第二柵極對(duì)應(yīng)的第一和第二區(qū)域中沉積第一和第二金屬層。專利說明用于增強(qiáng)電荷載流子的遷移率的方法和設(shè)備 [0001] 本公開內(nèi)容...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。