技術(shù)編號(hào)：7014231
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了一種，所述功率半導(dǎo)體器件包括主體區(qū)域，具有第一導(dǎo)電性；阱區(qū)，形成在主體區(qū)域的上部中，并且具有第二導(dǎo)電性；以及導(dǎo)電通過件，形成在主體區(qū)域中，同時(shí)穿過所述阱區(qū)。專利說明[0001]本申請(qǐng)要求于2012年12月13日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10_2012_0145167號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的權(quán)益，該申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過引用包含于此。[0002]本公開涉及一種。背景技術(shù)[0003]金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是在數(shù)字和模擬電路中最常用的類型的場(chǎng)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。