技術編號：7015262
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了，包括如下步驟將硅片置于擴散爐中，并向擴散爐中通入含有磷源的小N2，N2和O2，在800℃～820℃的溫度下，對所述硅片進行磷擴散；關閉小N2，保持800℃～820℃的溫度，向擴散爐中通入N2和O2對所述硅片進行通氧短時推阱；向所述擴散爐中通入N2，在850℃～870℃的溫度下，對所述硅片進行高溫氮推阱；向所述擴散爐中通入N2，在740℃～780℃的溫度下，對所述硅片進行低溫氮推阱；在N2保護下，對所述硅片進行出爐操作。采用本發(fā)明提供的擴散方法...
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