技術(shù)編號：7016022
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本公開涉及一種。根據(jù)一實施例，半導體發(fā)光元件包括其中包括氮化物半導體的n型半導體層、p型半導體層和發(fā)光層。所述p型半導體層包括其中包括Mg的Alx1Ga1-x1N(0≤x1<1)的第一p側(cè)層，包括Mg的Alx2Ga1-x2N(0<x2<1)的第二p側(cè)層，以及包括Mg的Alx3Ga1-x3N(x2<x3<1)的第三p側(cè)層。所述發(fā)光層被提供在所述n型半導體層和所述第二p側(cè)層之間。發(fā)光層包括勢壘層以及阱層。每一個阱層被提供在所述勢壘...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。