技術(shù)編號：7016173
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了，包括背電場（5）、基區(qū)（6）和發(fā)射結(jié)區(qū)（7）組成的基片（11），基片（11）中設(shè)置有若干主柵負(fù)極（9），主柵負(fù)極（9）與基片（11）之間設(shè)置有保護(hù)絕緣膜（10）。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明中在主柵負(fù)極和基片之間設(shè)置保護(hù)絕緣膜，保證了基片上設(shè)置主柵負(fù)極的導(dǎo)電孔處不會漏電，提高了電池的輸出功率和熱穩(wěn)定性；保護(hù)絕緣膜的覆蓋還對底部基區(qū)及導(dǎo)電孔內(nèi)壁具有一定的鈍化作用，降低激光穿孔后孔壁及附近區(qū)域的表面復(fù)合速率，提高硅片基體質(zhì)量；通過改變保護(hù)絕緣膜成分配...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。