技術(shù)編號:7016332
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提供了一種。該發(fā)光二極包括襯底;依次沉積于襯底上的緩沖層、n型GaN層、多量子阱層、p型AlGaN層和p型GaN層,其中,該發(fā)光二極管一側(cè)的p型GaN層、p型AlGaN層、多量子阱和部分的n型GaN層被刻蝕形成臺階;p型復(fù)合透明導(dǎo)電層,形成于發(fā)光二極管未經(jīng)刻蝕一側(cè)的p型GaN層上,自下而上依次包括ITO透明接觸層、ZnO基電流擴展層、ITO導(dǎo)光層;p型金屬電極層和n型金屬電極層,分別形成于發(fā)光二極管未經(jīng)刻蝕一側(cè)的ITO導(dǎo)光層上和發(fā)光二極管被刻蝕一側(cè)的...
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