技術編號：7016343
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供了一種。該方法包括步驟A，在襯底上外延半極性GaN模板層；步驟B，在GaN模板層上制備納米級網狀結構的TiN掩膜層；步驟C，在TiN掩膜層上制備自組裝納米球陣列掩膜層；以及步驟D，在依次沉積半極性GaN模板層、TiN掩膜層和自組裝納米球陣列掩膜層的襯底上繼續(xù)外延生長半極性GaN厚膜。本發(fā)明的方法可以有效釋放半極性GaN厚膜中的應力，實現(xiàn)高質量、大面積半極性GaN厚膜異質外延。專利說明[0001]本發(fā)明涉及半導體材料生長，尤其涉及一種。背景技術[0...
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