技術(shù)編號(hào)：7017009
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種蝕刻方法和蝕刻裝置。背景技術(shù)近年來，半導(dǎo)體集成電路裝置的運(yùn)行高速化在不斷發(fā)展。運(yùn)行的高速化是由配線材料的低電阻化等來實(shí)現(xiàn)的。因此，作為配線材料，已逐漸使用電阻更低的銅來替代以往的招。但是，在銅的加工中難以借用現(xiàn)有的干式蝕刻技術(shù)。這是由于蝕刻時(shí)形成的銅的化合物通常蒸氣壓低，難以蒸發(fā)。在過去雖然嘗試了 Ar濺射法、Cl氣RIE法等，但由于銅附著于腔內(nèi)壁等問題而未能實(shí)用化。因此，專門通過金屬鑲嵌法來形成使用銅的配線。金屬鑲嵌法是預(yù)先將與配線圖案相應(yīng)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。