技術編號：7030243
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型公開一種氣相蝕刻裝置，用以對待處理晶圓的邊緣進行蝕刻。氣相蝕刻裝置包含座體、承載平臺及環(huán)狀導氣墻。座體具有環(huán)狀出氣口。承載平臺設置于座體上且被環(huán)狀出氣口環(huán)繞。承載平臺具有用以承載上述待處理晶圓且外緣位于上述待處理晶圓的邊緣之內(nèi)的第一頂面。環(huán)狀導氣墻設置于座體上，并環(huán)繞于環(huán)狀出氣口之外。環(huán)狀導氣墻具有內(nèi)緣位于上述待處理晶圓的邊緣之外的第二頂面。第一頂面相對座體具有第一高度。第二頂面相對座體具有第二高度。第二高度為第一高度的0.5～1.5倍。專利說明...
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