技術(shù)編號(hào):7030656
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種圓片級(jí)硅通孔內(nèi)的封裝結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用,屬于半導(dǎo)體芯片封裝。其包括表層嵌置芯片電極(200)的硅基本體(100),在硅基本體(100)的芯片電極(200)下方設(shè)置硅通孔(110),硅通孔(110)的內(nèi)壁設(shè)置絕緣層(310),絕緣層(310)的表面設(shè)置結(jié)構(gòu)保護(hù)層(320),在所述硅通孔(110)內(nèi)的芯片電極(200)下方開(kāi)設(shè)先后貫穿結(jié)構(gòu)保護(hù)層(320)、絕緣層(310)的微孔(301),在結(jié)構(gòu)保護(hù)層(320)上選擇性地設(shè)置金屬線路層(400),金...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。