技術(shù)編號:7031557
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種垂直磁化型。背景技術(shù)對于利用電阻根據(jù)磁場發(fā)生變化的“磁阻效應(yīng)”的穿隧磁阻元件(TMR,tunnelingmagnetoresistive),在磁阻隨機(jī)存取存儲器(MRAM, magnetoresistive random accessmemory)或磁傳感器等領(lǐng)域正在進(jìn)行研究開發(fā)。穿隧磁阻元件為絕緣層(穿隧勢魚層)夾持在兩個磁性層之間的結(jié)構(gòu),磁性層之間的電流(穿隧電流)根據(jù)各磁性層的磁化方向的不同而變化。磁性層的磁化方向垂直于層壓方向的穿隧磁...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。