技術(shù)編號(hào)：7032696
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置以及使用了其的功率變換裝置。背景技術(shù)半導(dǎo)體裝置可以充當(dāng)根據(jù)施加到控制電極上的電壓來(lái)控制主電極間流動(dòng)的電流的開(kāi)關(guān)元件。作為這樣的半導(dǎo)體元件的一種的具有溝槽絕緣柵極構(gòu)造的絕緣柵極雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor 以下,略為IGBT)可以根據(jù)施加到柵極電極上的電壓來(lái)控制集電極電極與發(fā)射極電極之間流動(dòng)的電流。由于IGBT可控制的功率從數(shù)十瓦特起甚至達(dá)到數(shù)十萬(wàn)瓦特，并且開(kāi)關(guān)頻率也從數(shù)十赫茲到超十...
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