技術(shù)編號(hào):7036463
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種等離子體蝕刻方法,其用于使用等離子體蝕刻裝置隔著硬掩模對(duì)被處理基板的金屬層進(jìn)行蝕刻,連續(xù)交替地多次反復(fù)實(shí)施以下兩個(gè)工序作為所述蝕刻氣體,使用由O2氣體、CF4氣體和HBr氣體的混合氣體構(gòu)成的第1蝕刻氣體的第1工序;和作為所述蝕刻氣體,使用由O2和CF4氣體的混合氣體構(gòu)成的第2蝕刻氣體的第2工序,并且對(duì)下部電極施加第1頻率的第1頻率電力和比第1頻率低的第2頻率的第2高頻電力,且脈沖狀地施加第1高頻電力。專利說(shuō)明等離子體蝕刻方法和等離子體蝕刻裝置...
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