技術(shù)編號：7036677
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體裝置的制造方法包括在基板的主面形成具有第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體區(qū)域的半導(dǎo)體層的工序；以及在半導(dǎo)體層形成底部位于第1半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)的溝槽的工序。該制造方法還包括通過退火處理使溝槽的上部角部的半導(dǎo)體層的一部分向溝槽的底部上移動，由此形成覆蓋溝槽的底部的第2導(dǎo)電型的溝槽底部雜質(zhì)區(qū)域的工序。專利說明 [0001] 本公開涉及，特別是，涉及使用于高耐壓、大電流用的半 導(dǎo)體裝置（功率半導(dǎo)體器件）。 背景技術(shù) [0002] 碳化娃（silicon carbi...
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