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技術(shù)編號(hào)：7037069

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本發(fā)明涉及一種NLDM0S(N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)及其制法，特別是涉及一種與5伏CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝兼容的NLDMOS結(jié)構(gòu)及其制法。背景技術(shù)DMOS (雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)由于具有耐高壓，大電流驅(qū)動(dòng)能力和極低功耗等特點(diǎn)，目前在電源管理電路中被廣泛采用。在BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工藝中，DMOS雖然與CMOS集成在同一塊芯片中，但由于高耐壓和低導(dǎo)通電阻的要求，DMOS的本底區(qū)和漂移區(qū)的條件往往無(wú)法與CM...
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