技術(shù)編號:7037370
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種NAND裝置,至少具有垂直NAND串(180)的3x3子陣列,其中控制柵極電極(3,3a,3b,3aL,3aR)在子陣列中是連續(xù)的并且在子陣列中沒有氣隙或電介質(zhì)填充的溝槽。氣隙或電介質(zhì)填充溝槽(53,63)將NAND的下選擇柵極(51)和上選擇柵極(61)分別與在相同子陣列中的相鄰NAND串的相應(yīng)的選擇柵極分開。氣隙或電介質(zhì)填充溝槽(81)可以分開整個NAND串陣列的不同的子陣列塊。NAND裝置通過以下方式形成首先形成具有分開的下選擇柵極(51)的下選...
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