技術(shù)編號:7037479
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)(200)的擊穿電壓(BVCEO)和截止頻率(fT)的乘積通過利用具有中空核的摻雜區(qū)域(210)增加超出約翰遜限制,其中所述中空核從基極(150)向下延伸至重度摻雜的掩埋集電極區(qū)域(120)。摻雜區(qū)域和掩埋集電極區(qū)域具有相反的摻雜劑類型。專利說明具有提高的擊穿電壓-截止頻率乘積的S i Ge異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 [0001]本發(fā)明涉及具有提高的擊穿電壓-截止頻率乘積的SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)。 背景技術(shù) [...
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