技術編號：7038017
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明描述了以鎢來填充特征的方法以及相關系統(tǒng)和設備。這些方法包括由里朝外填充技術以及特征內的保形沉積。由里朝外填充技術可包括在特征內的蝕刻過的鎢層上的選擇性沉積。根據各種實施例可使用保形與非保形蝕刻技術。本發(fā)明所述的這些方法可用于填充例如鎢通孔的垂直特征、以及例如垂直NAND(VNAND)字線的水平特征。應用的實例包括邏輯和內存接點填充、DRAM埋入式字線填充、垂直集成內存柵極/字線填充以及具有硅通孔(TSVs)的3-D集成。專利說明鎢特征填充 相關申請的...
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