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技術(shù)編號(hào)：7038294

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本發(fā)明涉及一種浮體存儲(chǔ)單元(100)，該浮體存儲(chǔ)單元(1000)包括第一MOS晶體管(1100)和第二MOS晶體管(1200)，其中至少第二MOS晶體管具有浮體(1204)；其特征在于，第一MOS晶體管和第二MOS晶體管被構(gòu)造成，電荷能夠通過(guò)第一MOS晶體管向/從第二MOS晶體管的浮體移動(dòng)。專(zhuān)利說(shuō)明用于浮體單元的互補(bǔ)FET注入[0001]本發(fā)明涉及一種用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件。更具體地，其涉及一種基于浮體(floating body)的存儲(chǔ)單元。[0002...
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