技術(shù)編號：7038691
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明描述了具有臺面結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述臺面結(jié)構(gòu)包括下層半導(dǎo)體層；上層半導(dǎo)體層，其具有與所述下層半導(dǎo)體層不同的帶隙并且與所述下層半導(dǎo)體層直接接觸，以在所述上層半導(dǎo)體層之間形成二維電子氣區(qū)。所述二維電子氣區(qū)具有終止于所述臺面的側(cè)壁處的外邊緣。附加電子施主層具有比下層的帶隙高的帶隙，其設(shè)置在所述臺面結(jié)構(gòu)的側(cè)壁部分上并且設(shè)置在所述2DEG區(qū)的終止于所述臺面的側(cè)壁處的區(qū)上。歐姆接觸材料設(shè)置在電子施主層上。側(cè)向HEMT由電子施主層、2DEG區(qū)和歐姆接觸材料形成，其...
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