技術(shù)編號：7039704
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。提供了一種3D半導(dǎo)體器件及其制造方法。所述3D半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底；絕緣層，其形成在半導(dǎo)體襯底上；有源線，其形成在絕緣層上，包括源極區(qū)和漏極區(qū)；柵電極，其位于有源線的與源極區(qū)和漏極區(qū)之間的區(qū)域相對應(yīng)的部分上，并且向與有源線大體垂直的方向延伸；以及線形公共源極節(jié)點，其被形成為與源極區(qū)電耦接，并且在柵電極之間的空間中大體平行于柵電極而延伸。專利說明[0001]相關(guān)申請的交叉引用[0002]本申請要求2013年7月26日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的申請?zhí)枮?0-2...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。