技術(shù)編號(hào)：7042005
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種。該新型相變存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)包括依次沉積于襯底上的第一電極層、氮化物絕緣材料層、相變材料層和第二電極層，該絕緣材料層內(nèi)設(shè)置有加熱電極，所述加熱電極分別與第一電極層和相變材料層電性接觸，并且相變材料層還與第二電極層電性接觸。該加熱電極優(yōu)選采用氮化物加熱電極。本發(fā)明通過采用氮化物絕緣材料層包覆加熱電極，能夠有效阻止加熱電極被氧化，避免出現(xiàn)加熱電極阻值不穩(wěn)定和相變存儲(chǔ)器件失效的問題，提高了器件成品率，并大幅降低了器件功耗，且本發(fā)明在應(yīng)用于相變存儲(chǔ)器中...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。