技術(shù)編號：7043511
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種，由上選擇管和下選擇管及中間的存儲單元組成三維結(jié)構(gòu)，且所有的晶體管均為豎直結(jié)構(gòu)，與水平晶體管相比豎直晶體管的布局面積更小，從而可以提高RRAM的集成密度，進(jìn)一步降低成本。該方法包括在襯底上依次沉積SiO2、下選擇管的重?fù)诫s多晶硅控制柵層、SiO2，通過反應(yīng)離子刻蝕SiO2、多晶硅、SiO2層形成下選擇管的溝道區(qū)域；順序沉積多晶硅層和SiO2層，反應(yīng)離子刻蝕沉積的SiO2和多晶硅層，形成存儲單元的溝道通孔；沉積上選擇管的重?fù)诫s多晶硅控制柵層和...
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