技術(shù)編號:7043839
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供,抑制線型位錯的外延結(jié)構(gòu)在高溫u-GaN層4/5厚度處,插入一層50-200nm非摻u-AlGaN外延層;在高溫n-GaN層1/3厚度處,插入一層4-8個周期的n-AlGaN/GaN超晶格層;在低摻雜n-GaN層后生長一層2-6nm低摻n-AlGaN層;2)抑制V型缺陷漏電的外延結(jié)構(gòu)在MQW最后一個壘后生長一層10-50nm非摻AlGaN層;在低溫p-GaN和高溫p-GaN層中間插入一層50-200nm低摻p-AlGaN層。本發(fā)明可以有效降低Ga...
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