技術(shù)編號(hào):7043870
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供,其生長(zhǎng)方法包括以下步驟襯底在高溫的氫氣環(huán)境下處理完成后,AlGaN層生長(zhǎng)結(jié)束后,停止通入三甲基鋁(TMAl),在其他生長(zhǎng)條件不變的情況下生長(zhǎng)一層非摻雜GaN層,非摻雜GaN層生長(zhǎng)結(jié)束后,停止通入TMGa,PN2環(huán)境下退火,生長(zhǎng)一層摻雜In的GaN層,InGaN層結(jié)束后,停止通入TMIn,生長(zhǎng)一層Al組分逐漸降低的AlGaN層,Al組分逐漸降低的AlGaN層結(jié)束后,停止通入所有MO源,再在PN2環(huán)境下退火;本發(fā)明通過在藍(lán)寶石襯底上生復(fù)合成核層以及...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。