技術(shù)編號(hào):7044364
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。本發(fā)明先利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相方法(PECVD)淀積氮化硅;再利用紫外光照射(UV?cure)去除氮化硅薄膜中的氫(H),形成新的高拉應(yīng)力的Si-N鍵,產(chǎn)生高拉應(yīng)力膜;接著利用傳統(tǒng)的PECVD方法淀積剩余氮化硅薄膜,且不作紫外光照射處理,形成壓應(yīng)力膜;并利用此兩種應(yīng)力膜的相互抵消,制作低應(yīng)力氮化硅薄膜。本發(fā)明的方法克服了現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷,通過性質(zhì)相近、但是應(yīng)力相反的普通薄膜的簡單疊加,改善原先陡峭的應(yīng)力梯度,從而有效地控制所述氮化硅薄膜...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。