技術(shù)編號(hào)：7044517
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供，所述方法包括提供一晶圓，于所述晶圓表面向上設(shè)置隧道氧化層，浮柵極多晶硅層，硬質(zhì)掩膜，正硅酸乙酯，底部抗反射層和光阻層；對(duì)所述光阻層曝光顯影；對(duì)所述底部抗反射層刻蝕進(jìn)行刻蝕，并對(duì)所述光阻進(jìn)行硬化處理；對(duì)所述正硅酸乙酯層和所述硬質(zhì)掩膜層進(jìn)行刻蝕；去除所述光阻層和所述底部抗反射層；對(duì)所述浮柵極多晶硅層、所述隧道氧化層與所述晶圓襯底進(jìn)行刻蝕。通過本發(fā)明的一種改善自對(duì)準(zhǔn)淺溝槽隔離工藝中有源區(qū)線寬扭曲的刻蝕方案能夠改進(jìn)45nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下自對(duì)準(zhǔn)淺溝槽刻蝕工...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。