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技術(shù)編號：7044529

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本發(fā)明公開了一種穩(wěn)定MIM電容光刻線寬的方法，其中，所述方法包括以下步驟提供一由下至上依次包含有阻擋層、MIM下極板層、MIM介質(zhì)層和MIM上極板層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上表面制備一層氮化硅層；在所述氮化硅層的上表面制備一層氧化層；在所述氧化層的上表面制備光刻膠并進(jìn)行針對MIM上電極刻蝕的光刻工藝；其中，所述氮化硅層和所述氧化硅層均在同一工藝腔室中原位形成。本發(fā)明通過在氮化硅薄膜淀積工藝中增加O2treatment的步驟，O2在等離子體的能量下會...
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