技術(shù)編號(hào)：7044620
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了用于檢測P型源漏離子注入導(dǎo)致位錯(cuò)缺陷的方法，涉及集成電路制造工藝領(lǐng)域。提供用于前段工藝制程和中段工藝制程的掩膜板；將一測試硅片依次按照所述前段工藝制程和中段工藝制程進(jìn)行流片；當(dāng)所述中段工藝制程進(jìn)行至平坦化研磨工藝完成后，形成一測試結(jié)構(gòu)；將所述測試結(jié)構(gòu)放置于電子束檢測儀的監(jiān)控產(chǎn)品測試位置；采用所述電子束檢測儀對(duì)所述測試結(jié)構(gòu)的P型源漏離子注入?yún)^(qū)域進(jìn)行位錯(cuò)缺陷檢測，判斷所述測試結(jié)構(gòu)是否有漏電現(xiàn)象，若是則所述測試結(jié)構(gòu)存在位錯(cuò)缺陷；若否則所述測試結(jié)構(gòu)不存...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。