技術(shù)編號：7045033
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了一種碳化硅晶片的腐蝕方法和裝置，其最主要的是提供了一種全新的混合腐蝕劑和全新的腐蝕裝置，其中所采用的混合腐蝕劑由KOH、NaOH與氟鹽三種組分構(gòu)成，而所采用的腐蝕裝置則通過全新的晶片承載裝置實(shí)現(xiàn)了同時對多片晶片進(jìn)行腐蝕操作；綜合上述的改進(jìn)，本發(fā)明的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)了對多片晶片的同時腐蝕，提高能量和腐蝕劑利用率，實(shí)現(xiàn)了對腐蝕時間和腐蝕溫度的更精確控制，改善了整體裝置的安全性，提高了實(shí)際腐蝕速率。專利說明一種碳化硅晶片腐蝕的方法和裝置[0001]本發(fā)明...
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