技術(shù)編號：7045367
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提出一種新的生長紫光LED外延的方法，適合波長范圍365-420nm，能夠很大程度降低紫光LED的生長難度，同時提升紫光LED的輻射功率，并有效提高了紫光LED器件的可靠性。本發(fā)明中采用摻雜n型AlGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)，其中的勢壘層AlGaN和勢阱層GaN周期性交替摻雜，可以集中n型載流子濃度，不同層的濃度呈現(xiàn)周期濃度變化，周期性電導的變化能夠使得電流擴散更好，同時電導變化區(qū)加寬，使得線性缺陷的漏電通道穿透效果減弱，能夠降低正向電壓，提高ESD。...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。