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技術(shù)編號(hào)：7045759

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本發(fā)明公開了一種基于CMOS制造工藝的Si基場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)環(huán)形太赫茲(THz)探測(cè)器天線，屬于天線領(lǐng)域。本發(fā)明包括環(huán)形天線，Si基FET，低噪聲放大器；其中環(huán)形天線用于接收THz波，同時(shí)把接收到的THz波轉(zhuǎn)化為電信號(hào)給FET，F(xiàn)ET把高頻信號(hào)轉(zhuǎn)化為低頻信號(hào)給低噪聲放大器，信號(hào)經(jīng)過低噪聲放大器后最終能實(shí)現(xiàn)對(duì)THz信號(hào)的探測(cè)。本發(fā)明在安保掃描、射電天文、生物遙感、生產(chǎn)監(jiān)控等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。專利說明—種基于CMOS制造工藝的Si基場(chǎng)效應(yīng)晶體管環(huán)形太赫茲...
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