技術(shù)編號(hào):7045803
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種增強(qiáng)型、耗盡型和電流感應(yīng)集成VDMOS功率器件,包括N型襯底,所述N型襯底上設(shè)置有N型外延層,其特征在于所述N型外延層上設(shè)置有增強(qiáng)型VDMOS、耗盡型VDMOS和電流感應(yīng)VDMOS,且它們之間設(shè)有隔離結(jié)構(gòu);本發(fā)明將三個(gè)VDMOS器件集成在一起,應(yīng)用組合靈活多樣,可用于LED驅(qū)動(dòng)電源、電源適配器、充電器等電路中,不僅有利于系統(tǒng)集成和小型化,而且具有成本低,制成控制簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn);本發(fā)明在三個(gè)VDMOS器件之間采用隔離結(jié)構(gòu),能有效防止器件之間穿通。本...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。