技術(shù)編號：7045836
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。，屬于電子。本發(fā)明是為了解決現(xiàn)有的雙極器件在空間輻射環(huán)境下會產(chǎn)生電離及位移效應(yīng)，雙極器件受輻射損傷后電性能指標(biāo)下降的問題。本發(fā)明所述的一種基于發(fā)射極電極接觸方式的抗輻照雙極器件通過多晶硅連接雙極器件的金屬層與發(fā)射區(qū)的方式進行連接，從而達到抑制雙極器件在空間輻射環(huán)境產(chǎn)生電離及位移輻射損傷的目的；本發(fā)明所述的一種基于發(fā)射極電極接觸方式的抗輻照雙極器件的制備方法，在保留了傳統(tǒng)的雙極器件制備工藝的同時，制備出了能夠大幅度降低輻射損傷的雙極器件。本發(fā)明適用于雙極器件...
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