技術(shù)編號：7046264
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是一種新的生長紫外LED的外延結(jié)構(gòu)的方法，采用新的結(jié)構(gòu)層和表面接觸層摻雜，既可以實現(xiàn)避免生長紫外光時表面材料本身對光的吸收，還可以降低接觸電壓。本發(fā)明采用摻雜硅烷的n++型AlzInwGa1-z-wN（0<w<0.05,0<z<0.9）表面接觸層代替?zhèn)鹘y(tǒng)的摻雜鎂的p型GaN表面接觸層，既減小了表面接觸層GaN材料本身對紫外光的吸收，提升了外延片出光效率，同時低In組分的n++型AlzInwGa1-z-wN不但可以與芯片制作工藝...
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