技術編號：7046819
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。，包括多晶硅、APF層圖形結構、氮化硅和氧化硅層圖形結構等，在多晶硅和初始氮化硅圖形結構的表面采取原子層沉積技術沉積一層8～12納米厚的氧化硅，利用氣體干法刻蝕和濕法刻蝕，實現(xiàn)多晶硅上節(jié)距23～28納米內(nèi)的8～12納米線寬的小尺寸氧化硅圖形結構；該制備方法能保證氧化硅圖形結構的平整度，并能保證小尺寸深槽內(nèi)的介質(zhì)材料被完全祛除干凈，同時保護溝槽底部及周圍圖形不受損傷，以提高溝槽深度的均勻性，減少了圖形結構中存在柵欄、皺紋或者琢面的缺陷，提高了半導體器件的集成...
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