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技術(shù)編號：7047206

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一種LED的GaN外延片表面粗化工藝，包括以下步驟(1)將GaN外延片表面進行ICP刻蝕，ICP的功率為150-200W，直流自偏壓為100V，使用O2，Cl2和He感應(yīng)耦合等離子體刻蝕，其中O2，Cl2和He的流量比為2∶2∶1，使得刻蝕后的GaN表面的粗糙度RMS為0.15-0.18nm；(2)將GaN外延片清洗依次放入CCl4、丙酮各超聲清洗1-2分鐘、酒精超聲清洗2-3分鐘，去離子水中進行超聲清洗2-3分鐘；(3)將GaN外延片使用微波加熱預(yù)熱1分...
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