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技術(shù)編號：7047534

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本發(fā)明屬于超大規(guī)模集成電路制造，具體為一種用于多孔互連介質(zhì)表面封孔材料的制備方法。本發(fā)明以有機(jī)液態(tài)源三-乙氧基甲基硅烷（MTES）為液態(tài)源，經(jīng)過汽化后隨氦（He）載氣進(jìn)入腔體與C2F6氣體混合，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝，在多孔低介電常數(shù)互連介質(zhì)表面沉積一層薄膜。該薄膜的介電常數(shù)為2.8-3.3，在1MV/cm的電場強(qiáng)度下漏電流密度為10-9A/cm2數(shù)量級，楊氏模量為16.21-37.33GPa，硬度為1.25-3.03GPa。該材料...
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