技術(shù)編號(hào)：7047797
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著氮化物半導(dǎo)體組件應(yīng)用擴(kuò)大，除了具有高亮度外，降低組件操作電壓與提高靜電耐壓的重要性也隨之提高，本發(fā)明的氮化物組件，于p型氮化鎵接觸層成長高摻雜錐狀接觸層，此錐狀接觸層為不連續(xù)成長，提供較低的接觸電阻，降低了組件操作電壓與提升了靜電耐壓能力。專利說明氮化物發(fā)光二極管組件[0001]本發(fā)明涉及氮化物半導(dǎo)體光電器件，尤其涉及一種具有改善P型接觸層結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體光電器件。背景技術(shù)[0002]近年來，發(fā)光二極管(LED)組件著重于亮度提升，期望能應(yīng)用于照明領(lǐng)...
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