技術(shù)編號：7047823
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種半導(dǎo)體存儲器可以包括第一層疊結(jié)構(gòu)，其包括設(shè)置在襯底之上并沿著第一方向延伸的第一字線、設(shè)置在第一字線之上并沿著與第一方向交叉的第二方向延伸的第一位線、以及插入在第一字線和第一位線之間的可變電阻層；以及第二層疊結(jié)構(gòu)，其包括設(shè)置在第一層疊結(jié)構(gòu)之上并沿著第二方向延伸的第二位線、設(shè)置在第二位線之上并沿著第一方向延伸的第二字線、以及插入在第二字線和第二位線之間的第二可變電阻層；以及第一選擇元件層，被插入在第一位線和第二位線之間。專利說明電子設(shè)備[0001]相關(guān)申請...
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