技術(shù)編號(hào)：7048466
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及半導(dǎo)體晶片及其形成工藝。半導(dǎo)體晶片可以包括襯底、多晶模板層以及半導(dǎo)體層。該襯底具有中心區(qū)域和邊緣區(qū)域，該多晶模板層沿著該襯底的外周邊緣設(shè)置，并且半導(dǎo)體層在該中心區(qū)域之上，其中該半導(dǎo)體層是單晶的。在一實(shí)施例中，該多晶模板層和單晶層通過中間區(qū)域彼此橫向間隔開。在另一個(gè)實(shí)施例中，該半導(dǎo)體層可以包含鋁。形成襯底的工藝可以包括在該邊緣區(qū)域內(nèi)形成圖案化的多晶模板層和在主表面之上形成半導(dǎo)體層。形成襯底的另一個(gè)工藝可以包括在主表面之上形成半導(dǎo)體層和去除該半導(dǎo)體層...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。