技術(shù)編號：7048475
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明適用于顯示，提供了一種薄膜晶體管基板的制作方法在基板表面上依次形成第一金屬層、第一化學(xué)氣相沉積膜層、第二金屬層、以及第二化學(xué)氣相沉積膜層；在第二化學(xué)氣相沉積膜層上形成光阻；用光罩對所述光阻進(jìn)行曝光和顯影，光罩對應(yīng)的位置為共享電容區(qū)域；對第二化學(xué)氣相沉積膜層上的光阻被去除的過孔區(qū)域進(jìn)行過孔蝕刻；對光阻進(jìn)行灰化，去除所述共享電容區(qū)域的光阻；蝕刻共享電容區(qū)域的氮化硅層；形成一像素電極層。本發(fā)明讓共享電容的兩個金屬電極間夾著的介質(zhì)僅為氮化硅層，讓共享電容的大...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。