技術編號：7048715
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體結(jié)構(gòu)和一種單晶硅蝕刻方法。所述方法包括提供其中具有至少一個溝槽的單晶硅襯底。將所述襯底暴露至緩沖氟化物蝕刻溶液，所述溶液底切硅以在沿<100>方向圖案化時提供橫向承架。當沿<100>方向圖案化時，所獲得的結(jié)構(gòu)包括底切特征?？墒褂帽景l(fā)明來制作先前認為過于昂貴、復雜及/或良率不佳的裝置。專利說明單晶硅蝕刻方法及所獲得的半導體結(jié)構(gòu)[0001]本申請是申請日為2007年5月31日，申請?zhí)枮?00780020525.X、發(fā)...
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