技術(shù)編號:7049001
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明實施方式的半導(dǎo)體裝置具備常關(guān)斷型晶體管,具有與源極端子連接的第1源極、第1漏極、與柵極端子連接的第1柵極;以及常開啟型晶體管,具有與第1漏極連接的第2源極、與漏極端子連接的第2漏極、與柵極端子連接的第2柵極。專利說明半導(dǎo)體裝置[0001]相關(guān)申請的交叉引用[0002]本申請主張2013年6月25日提出的在先日本專利申請第2013-133107號的優(yōu)先權(quán),通過引用包含其全部內(nèi)容。 [0003]本發(fā)明的實施方式涉及半導(dǎo)體裝置。 背景技術(shù) [00...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。