技術(shù)編號:7049291
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,更具體地,本發(fā)明涉及一種孔洞在先的硬掩模限定。背景技術(shù)半導(dǎo)體存儲裝置被使用在用于包括收音機、電視、移動電話以及個人計算裝置的電子應(yīng)用方式的集成電路中。普遍公知的存儲裝置包括電荷存儲裝置,諸如,動態(tài)隨機存儲器(DRAM)和閃存。近來,存儲裝置的發(fā)展涉及到了將半導(dǎo)體技術(shù)與電磁材料結(jié)合的自旋電子器件。使用電子的自旋極化,而不再使用電子電荷來表示狀態(tài)“ I ”或“ O ”。一種這類的自旋電子器件是自旋力矩轉(zhuǎn)移(STT)磁隧道結(jié)(MTJ)器件。...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。